Micron Technology, EUV litografi ile üretilen en son DDR5 yongasını tanıttı — bu, şirket için bir ilk. Yeni 16 gigabit (2 GB) DRAM, 1.1 V standart voltajda 9200 MT/s'ye kadar veri transfer hızlarına ulaşarak modern standartların temel gereksinimlerini önemli ölçüde aşmaktadır.
Yeni ürün yalnızca daha yüksek bir saat hızı sunmakla kalmıyor, aynı zamanda geliştirilmiş enerji verimliliği de sağlıyor. 1β süreci ile üretilen önceki modeline kıyasla, yeni yonga %20 daha az güç tüketiyor ve %30 daha yüksek bit yoğunluğu sunarak, optimal verim elde edildiğinde üretim maliyetlerini düşürme potansiyeline sahip. 9200 MT/s, tipik DDR5 spesifikasyonlarının ötesine geçse de, Micron, yonganın JEDEC standartlarına tamamen uyduğunu ve gelecekteki işlemcilerle uyumluluğu sağladığını garanti ediyor.
Bu aşamada, şirket yeni belleğin örneklerini kapsamlı testler için seçilen ortaklara göndermektedir. Nitelik testlerinin çeyrek sonuna kadar tamamlanması bekleniyor ve seri üretimin 2025 ortalarında başlaması planlanıyor. EUV litografisini üretimde ilk kez kullanan 1γ süreci, geleneksel çoklu desen DUV tekniklerini, yüksek-k metal kapılar ve geliştirilmiş arka uç bağlantı mimarisi (BEOL) gibi en son yeniliklerle birleştiriyor.
Micron burada durmuyor — şirket, grafik kartları (GDDR7) ve mobil cihazlar (9600 MT/s'ye kadar hızlarla LPDDR5X) için çözümler geliştirmede 1γ sürecinden daha fazla yararlanmayı planlıyor. Bu stratejik hamle, Micron'un hem yüksek performanslı sistemler hem de enerji verimli mobil cihazlar için yenilikçi çözümler sunarak bellek pazarındaki konumunu güçlendirmesini sağlayacak.