Amerikan girişimi NEO Semiconductor, hafıza tasarımına yönelik üç yenilikçi yaklaşımı tanıttı ve bu, performans ve enerji verimliliği için endüstri standartlarını yeniden tanımlayabilir. Yeni 3D X-DRAM serisi, 3D NAND mimarisinin unsurlarını metal-oksit malzemeleriyle birleştiren 1T1C, 3T0C ve 1T0C hücre yapıları içeriyor.
Şirketin belirttiğine göre, 3D X-DRAM'ın temel avantajı çip yoğunluğunda yatıyor — 512 Gb'a kadar, geleneksel DRAM'ın yaklaşık on katı daha yüksek. Bu sıçrama, hafıza hücrelerinin dikey olarak istiflenmesiyle mümkün oluyor; bu, 3D NAND'ın nasıl üretildiğine benziyor. IGZO (indiyum galliyum çinko oksit) transistörlerinin kullanımı, veri erişim hızlarını sadece 10 nanosaate çıkararak performansı daha da artırıyor ve güç tüketimini azaltıyor.
Teknolojinin en dikkat çekici faydalarından biri, güç taleplerini azaltma potansiyelidir. Uzatılmış şarj tutma süreleri sayesinde — 450 saniyeye kadar — yeni hafıza hücreleri daha az yenileme döngüsü gerektiriyor. Bu, veri merkezleri ve düşük güç tüketen cihazlar için özellikle kritik. Kapasitörleri tamamen ortadan kaldıran 3T0C varyantı, AI iş yükleri göz önünde bulundurularak tasarlanmışken, 1T1C hücresi mevcut DRAM standartlarıyla uyumlu kalıyor. Dikkate değer bir şekilde, üretim süreci yalnızca minimal olarak değiştirilmiş, mevcut üretim hatlarına daha kolay entegrasyon sağlanmıştır.
Bu aşamada, proje simülasyon aşamasında kalıyor ve prototip örneklerinin 2026'ya kadar bekleniyor. NEO Semiconductor, teknolojiyi Mayıs 2025'te IEEE Uluslararası Hafıza Atölyesi'nde sergilemeyi planlıyor. Şu ana kadar, Samsung ve SK Hynix gibi büyük oyuncular, duyuruya kamuya açık bir yanıt vermedi. Ancak, yüksek performanslı hafızaya olan talep artarken — özellikle AI ve karmaşık hesaplama için — NEO’nun çözümü yakında önemli bir endüstri ilgisi çekebilir.