İşlemciler Artık Sadece Bir Atom Kalınlığında Bellek ile Kaplanabiliyor

Araştırmacılar Şanghay'dan, sadece birkaç atom kalınlığında bellek devreleri oluşturmak ve bunları doğrudan silikon yongalarına entegre etmek için pratik bir teknoloji geliştirdiler. Bu, daha kompakt ve enerji verimli elektronik cihazların yolunu açıyor.

Elektroniklerde ultra ince malzemelerin kullanımını engelleyen ana zorluk, silikon yongalarının kusurlu yüzeyidir. Mikroskobik düzeyde, bu yüzey pürüzsüz olmaktan uzaktır ve tek atom kalınlığındaki bir katmana kolayca zarar verebilir. Çinli ekip, molibden sülfür katmanının silikon levhayı yırtmadan veya deformasyona uğratmadan düzgün bir şekilde kaplamasını sağlayan bir yöntem geliştirdi.

Ortaya çıkan hibrit çip, standart bir kontrol birimini ultra ince 2D film içinde gömülü NOR tipi bellek ile birleştiriyor. Laboratuvar testleri, çipin tam işlevselliğini doğruladı ve yüksek işlem hızı ile olağanüstü enerji verimliliğini gösterdi. %94'lük bir verim oranı ile bu yöntem, mevcut seri üretim montaj hatlarına uyum sağlamak için uygun olduğunu kanıtlıyor.

Böyle çözümlerin gelecekte benimsenmesi, entegre, ultra hızlı ve düşük güç tüketimli bellek ile işlemcilerin yaratılmasını sağlayacaktır. Bu, hesaplama çekirdekleri ile bellek arasındaki sınırın neredeyse görünmez hale geldiği yeni bir elektronik sınıfına yol açabilir—mobil sistemler ve yapay zeka için kritik bir ilerleme.

Bu başarı, Çin'den başka bir umut verici gelişmenin mantıklı bir devamıdır: molibden disülfür temelinde RV32-WUJI işlemcisinin yaratılması. Önceki çalışma, tamamen bağımsız çiplerin 2D malzemelerden inşa edilebileceğini kanıtlamıştı, yeni ATOM2CHIP teknolojisi ise bunların mevcut silikon elektroniğine esnek bir şekilde nasıl entegre edilebileceğini göstermektedir. Rekabet etmek yerine, bu yaklaşımlar artık birbirini tamamlıyor: biri, temelde yeni bir mikroelektronik türüne giden yolu açarken, diğeri mevcut teknolojimizin radikal bir şekilde geliştirilmesine olanak tanıyor.