Ferroelectric Memory Co. (FMC) ve Neumonda, DRAM+ teknolojisini piyasaya sürmek için güçlerini birleştirdi — geleneksel DRAM'ın performansını, verileri güç olmadan saklama yeteneği ile birleştiren bir sonraki nesil bellek teknolojisi, SSD'lere benzer şekilde.
DRAM+'nın kalbinde, bellek hücrelerinde genellikle kullanılan geleneksel kapasitörlerin yerini alan ferroelectric hafnium oksit (HfO₂) bulunuyor. Bu yenilik, verileri korumak için sürekli güç gereksinimini ortadan kaldırırken DRAM'ın yüksek hızlı özelliklerini koruyor. Önceki denemeler, modern, miniaturize çip tasarımları için ölçeklenmesi çok zor ve pahalı olan kurşun zirkonat titanat (PZT) kullanıyordu.
PZT'nin aksine, HfO₂ mevcut yarı iletken üretim süreçleriyle tamamen uyumludur — hatta 10nm altı teknolojiyi kullananlarla bile. Bu, çok gigabaytlık bellek çipleri oluşturma kapısını açarak, DRAM+'yı veri yoğunluğu açısından standart DRAM'a ciddi bir rakip haline getiriyor. Neumonda, yeni belleği değerlendirmek için Rhinoe, Octopus ve Raptor gibi özel test platformlarını sağlayacak. Bu platformlar, düşük güç kullanımı için tasarlanmış olup, geleneksel ekipmanların karşılayamayacağı derinlemesine analiz yetenekleri sunuyor.
DRAM+'nın ilk olarak otomotiv elektroniği, tıbbi cihazlar ve makine öğrenimi sistemlerinde kullanılması bekleniyor. Dahası, teknoloji, büyük revizyonlar olmadan mevcut üretim hatlarına entegre edilebilir — bu, benimsenmesini hızlandırabilecek önemli bir avantaj.
-
![]()
V-Color, Entegre OLED Ekrana Sahip DDR5 Belleği Tanıttı -
![]()
X-HBM Belleği Tanıtıldı, HBM8'den Daha Önce Beklenmeyen Bir Atılım Gerçekleştirildi -
![]()
HBM4 Bellek Standardı Resmi Olarak Tanıtıldı — Hız ve Güç Verimliliğinde İki Kat Artış -
![]()
RAM'ın Geleceği Ufukta: NEO Yarı İletken 3D X-DRAM'ı Tanıttı -
![]()
Üç Fanlı Soğutma: Origin Code Yeni DDR5 Modüllerini Duyurdu -
![]()
Micron, 2026'ya kadar bellek fiyat artışlarının dalgasını başlatıyor
