Prototip bellek tanıtıldı, mevcut muadillerinden 100.000 kat daha hızlı

Bir grup araştırmacı, mevcut muadillerinden 100.000 kat daha hızlı olan bir prototip kalıcı bellek oluşturduklarını duyurdu. Sonuçlar, Naturedergisinde yayımlandı ve yalnızca 0.4 nanosaniyede okuma ve yazma işlemleri gerçekleştirebilen bir teknoloji tanımlıyor. Karşılaştırma için, bu mevcut SRAM tabanlı önbellek yongalarından on binlerce kat daha hızlıdır.

Geliştirme, iki boyutlu malzemeler olan grafen ve tungsten diselenid (WSe₂) üzerine kurulmuştur. Bu malzemelerin benzersiz özellikleri, araştırmacıların 1960'lardan beri büyük ölçüde değişmeyen silikon transistörlerin fiziksel sınırlamalarını aşmalarını sağladı. Geleneksel sistemlerde hız, elektronları elektromanyetik bir alan kullanarak "hızlandırma" gerekliliği ile sınırlıdır. Bu yeni bellek türünde, parçacıklar kütlesiz gibi davranır, bu da enerji kaybını önemli ölçüde azaltır ve veri transferini hızlandırır.

Prototip, yaklaşık 1 KB'lık mütevazı bir kapasiteye sahip ancak 5.5 milyondan fazla yeniden yazma döngüsü ile etkileyici bir güvenilirlik sergiliyor. Araştırmacılar, şu anda en büyük zorluğun teknolojiyi ölçeklendirmek olduğunu belirtiyor. Önümüzdeki beş yıl içinde bellek kapasitesini onlarca megabayta çıkarmayı ve ticari üretime başlamayı planlıyorlar.

Geliştirme 2015 yılından beri devam ediyor. 2021'de teorik bir model önerildi ve 2024'te 8 nm kanal uzunluğuna sahip ilk çip üretildi, bu da silikon bazlı eşdeğerlerin sınırının neredeyse yarısıdır. Araştırmacılara göre, böyle bir depolama uygulaması, işlemci güç tüketimini azaltabilir ve veri işleme hızının kritik olduğu sinir ağlarındaki görevleri hızlandırabilir.